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硅(Si)
主要性能参数
晶体结构
面心立方
熔点(℃)
1420
密度
2.4(g/cm3)
导电类型/掺杂物质
I型非掺
P掺B
N掺P
电 阻 率
>1000Ωcm
10-3~104Ωcm
E P D
≤100∕cm2
氧含量(∕cm3)
≤1~1.8×1018
碳含量(∕cm3)
≤5×1016
尺寸
10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm
可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片
厚度
0.3-0.5mm、1.0mm
尺寸公差
<±0.1mm
厚度公差
<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm)
抛光
单面或双面
晶面定向精度
±0.5°
边缘定向精度
2°(特殊要求可达到1°以内)
取向
<100>、<110>、<111>等
包装
100级洁净袋,1000级超净室